二次污染造成的針孔洗凈的玻璃在鍍膜前需經過加熱，抽真空和濺射等過程，而使玻璃再次污染，從而使玻璃鍍膜后產生針孔。玻璃加熱過程中再污染是加熱室或濺射室不干凈，而對玻璃再污染，這些污染源主要來源于擴散泵返油、加熱室或濺射室內臟、靶玻璃材濺射產生靶灰，殘余氣體壓強高等諸多方面。因為一般的固體物質，每單位表面積上的分子數大約為10個左右，在常Pa的壓強下，每秒鐘撞表面的分子數大體上相當于覆蓋物質全面積的分子數。在殘余氣體壓強為10的情況下，假如以每秒一層原子左右的形成速度進行鍍膜時，則蒸發的原子和殘余氣體的分子幾乎是以相同的幾率碰撞基片。在濺射過程中在充入氬氣時壓強為10～10時所形成膜的速度和蒸發條件下基本相同。

　　由于殘余氣體的存在，不但影響膜的純度及質量，還會產生針孔。所以在生產中要選用高純度的氬氣為工作氣體，嚴格控制真空室的漏氣速率，以減小殘余氣體對原片及膜層的污染。將殘余氣體的壓力控制在10Pa以下，要經常清理加熱室、玻璃過渡室、濺射室的環境，減少擴散泵返油對玻璃的污染。同時可適當提高陰極的濺射功率，以增加粒子動能及擴散能力，這將有利于清除被鍍膜玻璃表面的殘留物質，減少鍍膜玻璃的針孔。鍍膜玻璃膜的膜層均勻度一般地講，同一基片上膜層厚薄不同，就稱之為膜層不均勻。引起鍍膜玻璃膜層不均勻的原因是多方面的。磁控濺射靶的水平磁場強度(B)對膜層均勻度的影響磁控濺射的關鍵參數之一是與電場垂直的水平磁場強度B，因為水平磁場強度B要求在陰極靶的表面是一個均勻的數值。而實際生產過程中值是隨著使用方法及時間的推移，產生一定的變化，而出現不均勻現象。我們從濺射過的陰極靶材的刻蝕區的變化情況就可以驗證。