真空電鍍機應用和注意事項

　　1)真空電鍍機中頻磁控濺射電源對磁控濺射靶的要求較高，“孿生”的對靶，要求表面磁場、濺射面積、靶的材質和厚度要盡可能一致。不然會影響電源工作，嚴重時會導致過流保護。

　　2)由于兩個靶交替工作，中頻磁控濺射電源的起輝電壓和工作電壓較高，低氣壓下也容易出現滅輝現象。

　　3)因兩個靶交替工作，從理論上講中頻磁控濺射電源的電流或功率選擇，基本上可以按直流磁控濺射的兩倍來定，但考慮到其工作電壓較高，可適當降低工作電流。

　　4)由于目前中頻磁控濺射電源的工作頻率較低(20～60KHz)，還不能濺射絕緣靶材。

　　5)中頻磁控濺射電源的空載電壓一般為≥1000V～1200V，工作電壓為500V～800V，工作頻率為20KHz～60KHz,占空比為10%～90%。

　　6)工作頻率高一些，有利于增加打火抑制能力，但會限制電源輸出平均電流的能力。

　　4、送氣系統:主要由電磁閥開關和氣體流量控制兩部分組成

　　5、偏壓電源：在多弧離子和磁控濺射鍍膜技術中都要使用。只是由于磁控濺射的離化率遠低于多弧離子鍍，所需偏壓電源的功率更小。目前有許多設備既配備磁控濺射靶，也配有多弧靶，選擇偏壓電源功率時，要以多支工作時的要求來定。早期的偏壓電壓主要是用可控硅技術的直流偏壓電源，現在多為采用高頻逆變技術制造的單極性、直流疊加脈沖和雙極性脈沖偏壓電源。因滅弧和防打火功能太差，已經逐漸被淘汰。偏壓電源主要用于多弧離子和磁控濺射鍍膜過程中的輝光清洗、離子轟擊和膜層沉積時在被鍍工件上施加偏壓，在輝光清洗時，它產生輝光;在離子轟擊中用于加速離子，提高離子轟擊工件表面進的能量，達到嗇濺射清洗效果和膜層結合力的目的，在膜層沉積時，它也用于增加離子能量，促進和改善薄膜生長，也會提高膜基結合力。

　　1)通用單極性脈沖偏壓電源的輸出電壓為100～1000V,頻率為20～80KHz，占空比為10%～80%，輸出電流取決于多弧靶的數量和弧流的大小。通常可按3～5A/個選取，而只用于磁控濺射鍍膜的偏壓電源。則根據工件表面積和輝光放電清洗強度來選，通常可按5A/m2左右來選取。

　　2)調高頻率和減小占空比能減小打火損傷和降低工件表面的溫度、輝光放電清洗和離子轟擊的效果。實際使用中要根據實際工作情況和需要來調節。

　　3)增大占空比可提高離子轟擊的能量，有利于提高膜基結合力和膜層的致密性，但會降低成膜速率，實際使用中要根據需要調節、

　　4)輝光清洗電壓大約500～1000V，離子轟擊電壓大約400～800V，成膜電壓大約50～300V，在工模具鍍膜中，也有采用1500V，3000V,甚至5000V偏壓電源的，但應用較少。

　　5)工作中如出現低壓大電流現象或反復保護，電壓、電流不穩定現象，很可能設備有短路和持續拉弧現象，應進行維修。

　　6)工作中打火頻繁。而且提高頻率和占空比也無明顯改善時，可能是膜層絕緣性高或工件上有絕緣材料，這時好選用雙極性脈沖偏壓電源。