影響離子鍍膜層質量的工藝參數

　　①基片偏壓.

　　離子鍍膜基片施加負偏壓后;各種離子和高能中性粒子流以較高的能量轟擊基片表面.基片負偏壓的提高，會使基片表面獲得更高的能量，可能形成偽擴散層，提高膜層與基體的附著力，還可以改變膜層的組織、結構和性能，如細化晶粒，隨著基片負偏壓的提高，膜層組織變細，但是，基片負偏壓的提高也會產生一些不利的影響，如反濺射作用的增加，使膜層表面受到刻蝕，使表面光潔程度降低，空心陰極離子鍍鉻時，基片負偏壓對鉻膜表面光澤度的影響，基片負偏壓的提高還會使沉積速率降低，使基片溫度升高，電弧離子鍍tin膜基片負偏壓對沉積速率的影響，因此，應根據不同的離子鍍方法、不同的膜層及使用要求選擇適當的基片負偏壓。

　　②鍍膜真空度和反應氣體分壓.

　　離子鍍膜真空度對膜層組織、性能的影響與真空蒸鍍時的影響規律相似，但反應氣體分壓對反應離子鍍鍍制化合物膜的成分、結構和性能有直接的影響，因此反應氣體的分壓應根據離子鍍方法，化合物膜層的成分、性質、使用要求以及設備來選擇

　　③基片溫度.

　　離子鍍膜基片溫度的高低直接影響著膜層的組織、結構和性能。一般情況下，溫度的增高有利于提高膜層與基片的附著力，有利于改善膜層的組織與性能。但是，溫度過高，則會使沉積速率降低，有時還會使膜層晶粒粗大，性能變壞;另外，基片溫度的選擇還要受基片材料性質的限制，如鋼材的回火溫度等

　　④蒸發源功率.

　　蒸發源功率對蒸發速率有直接的影響，進而影響沉積速率，影響膜層的組織、性能，對反應沉積化合膜時蒸發源功率也將影響膜層的成分。